A2T18S162W31GSR3
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
Artikelnummer: | A2T18S162W31GSR3 |
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Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
Teil der Beschreibung.: | IC TRANS RF LDMOS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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250+ | $102.346 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 28V |
Spannung - Nennwert | 65V |
Transistor-Typ | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | NI-780GS-2L2LA |
Serie | - |
Leistung | 32W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | NI-780GS-2L2LA |
Andere Namen | 935322254128 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 20.1dB |
Frequenz | 1.84GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA |
Aktuelle Bewertung | - |
Strom - Test | 1A |
A2T18S162W31GSR3 Einzelheiten PDF [English] | A2T18S162W31GSR3 PDF - EN.pdf |
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A2T18S162W31GSR3NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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